BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機，儲能變流器，光儲一體機,PCS雙向變流器等新能源領域。現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。**逆變器用 HERIC 電路和相關工藝可用于單相逆變器，該拓撲是在H橋的橋臂兩端加上兩個反向的開關管進行續流，以達到續流階段電網與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內（如屋頂光伏系統），其基于傳統H4電路上在交流側加入旁路功能的第五、六開關。其有效隔離了零電平時候交流濾波電感L與寄生電容C之間的無功交換，提升系統效率，且降低寄生電容上的電壓高頻分量，**漏電流,通過利用BASiC基本半導體SiC碳化硅器件的開關損耗低特性，單相HERIC電路中，用單一器件BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT... [詳細介紹]