BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器，戶用光伏逆變器，戶用光儲一體機，儲能變流器，光儲一體機,PCS雙向變流器等新能源領域。

現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。

**逆變器用 HERIC 電路和相關工藝可用于單相逆變器，該拓撲是在H橋的橋臂兩端加上兩個反向的開關管進行續流，以達到續流階段電網與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內（如屋頂光伏系統），其基于傳統H4電路上在交流側加入旁路功能的第五、六開關。其有效隔離了零電平時候交流濾波電感L與寄生電容C之間的無功交換，提升系統效率，且降低寄生電容上的電壓高頻分量，**漏電流,通過利用BASiC基本半導體SiC碳化硅器件的開關損耗低特性，單相HERIC電路中，用單一器件BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管可以有效降低高頻管的損耗，顯著降低器件的工作結溫，提升系統效率,BASiC基本半導體650V混合SiC-IGBT單管繼承了經典的TO247封裝，客戶可以在不變更PCB和電路情況下，對老的產品進行直接替換，從而在*短時間內達到系統效率的提升和增加開關頻率的目的。同時，由于器件帶來系統損耗減少的優勢，可以降低散熱設計要求和成本；開關頻率提升可以有效降低并網電感的尺寸和大小，減少電流諧波對電網的污染。HERIC電路設計的拓撲結構可以實現高達99％超高轉化效率，同時將EMI保持在較低的水平。除了具有更高的能量輸出的優點外，這種拓撲結構還降低了部件的熱應力，因而散熱器可以設計得更小，使用壽命卻更長。行業普遍認為到目前為止，這是戶用光伏逆變器儲能變流器PCS設備中較好的設計。

該器件將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使得IGBT的開關損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之間，在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET，可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡，具有**的應用價值，特別適用于對功率密度提升有需求，同時更強調性價比的電源應用領域，如車載電源充電機（OBC）、通信電源、高頻DC-DC電源轉換器、UPS等。

PFC技術趨勢

在電源研發領域，尤其是在汽車OBC和通信電源應用領域，由于PFC拓撲的設計可直接影響到電力轉換系統效率的高低，使得這一關鍵因素在近年來變得愈發**。為進一步提高電源的工作效率，科研人員和工程師們已經研究出多種不同的PFC拓撲結構，如傳統的PFC拓撲、普通無橋PFC、雙升壓無橋PFC，圖騰柱無橋PFC等，并已成功大范圍應用在設計過程中。

對比上述四種常見的PFC拓撲結構，圖騰柱無橋PFC拓撲的器件用量僅為6，同時還具有導通損耗*低、效率*高等優點，因此在車載OBC及通信電源等**應用方面已有量產項目采用圖騰柱無橋PFC取代傳統的PFC或交錯并聯PFC。

因此本文除闡述圖騰柱無橋PFC的優勢和工作原理之外，將重點介紹圖騰柱無橋PFC的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。

碳化硅肖特基二極管對IGBT的損耗和二極管反向恢復損耗的影響非常大。使用碳化硅肖特基二極管后，可以顯著降低IGBT的開通損耗和總損耗，基本半導體碳化硅混合分立器件的開通損耗相對于Si IGBT降低55%，總損耗降低33%。

另外，混合碳化硅分立器件的反并聯二極管由于其碳化硅肖特基二極管特性，基本上不存在反向恢復電流和反向恢復損耗。相對傳統IGBT方案，在高頻和效率提升上，混合碳化硅分立器件的技術優勢更加明顯。

傳統IGBT及混合碳化硅分立器件反并聯二極管的特性參數對比

混合碳化硅分立器件的反向恢復時間Trr，反向恢復電流Irr和反向恢復損耗Err明顯降低。

基本半導體主要推出了650V 50A和650V 75A的混合碳化硅分立器件，并同時推出了TO-247-3和TO-247-4封裝（如上圖），使得客戶在不需要更改電源電路和PCB的基礎上，直接進行Pin To Pin替換驗證測試及使用，在同樣的設計系統中，客戶可以在*短時間內提升整機效率，降低散熱器設計要求和成本。客戶也可以提高主開關管的開關頻率，選擇體積更小的電感進行設計，以此減少電流諧波對電網的污染。

BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發射極端子，繞過柵極控制回路上的發射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。英飛凌單管IGBT國產代替主要規格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5國產替代，AIKW50N65RF5國產替代，IKW50N65ES5國產替代，IKW50N65EH5國產替代，IKW50N65ET7國產替代），BGH50N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW50N65SS5國產替代),BGH50N65ZF1（IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5國產替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5國產替代，IKW75N65ES5國產替代，IKW75N65EH5國產替代，IKW75N65ET7國產替代），BGH75N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW75N65SS5國產替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5國產替代），BGH40N120HF典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7國產替代）,BGH75N120HS 典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管 (IKQ75N120CH3國產替代，IKQ75N120CS6國產替代，)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括：戶用光伏逆變器650V混合SiC IGBT單管，戶用光伏逆變器，組串光伏逆變器，戶用儲能逆變器，雙向變流器，雙向逆變器，車載充電機（OBC）、ESS儲能系統、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統 (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS) ，基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。該器件將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使IGBT的開關損耗大幅降低，適用于車載電源充電機（OBC）、通信電源、高頻DC-DC電源轉換器、儲能等領域。

BASiC基本半導體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開關優化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對管IGBT開通損耗，且自身反向恢復損耗Erec也明顯降低，IGBT開通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊，移動儲能逆變器功率因數校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。

BASiC基本半導體碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具備開關中的小柵極電荷和器件電容、反并聯二極管無反向恢復損耗、與溫度無關的低開關損耗，以及無閾值通態特性等。非常適合硬開關和諧振開關拓撲，如LLC和ZVS，廣泛應用于OBC車載充電器，光伏儲能逆變器，充電樁電源模塊等，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅動器進行驅動。由于能在高開關頻率下帶來**率，從而可以減小系統尺寸、增大功率密度，并確保高可靠性，延長使用壽命。

光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H，B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三電平SiC-IGBT模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET，三電平IGBT模塊，光儲一體機混合IGBT器件

BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向導通壓降。BASiC基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產品的優點，采用JBS結構，優化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。