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SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)替代,上海SiC碳化硅MOSFET,華東光伏MPPT碳化硅MOSFET,B2M04...

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基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET在光伏逆變器中的應(yīng)用組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的,每個(gè)光伏組串通過(guò)一個(gè)逆變器,多塊電池板組成一個(gè)組串,接入小功率單相逆變器在直流端具有**功率峰值跟蹤,在交流端并聯(lián)并網(wǎng),已成為現(xiàn)在全球市場(chǎng)上*流行的逆變器。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用DC-DC-BOOST升壓(MPPT)和DC-AC全橋逆變兩級(jí)電力電子器件變換,防護(hù)等級(jí)一般為IP65。體積較小,可室外壁掛式安裝。組串光伏逆變器有多路MPPT,每路MPPT器件選型為B2M035120YP*1(電流能力更大,支持更高功率的光伏電池板接入),或者B2M040120Z*1+碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.(1)MPPT選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率器件方案的邏輯:   組串式逆變器早期舊方案中的開(kāi)關(guān)管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯(lián)或者75A/1200V IGBT,升壓二極管是1200V 60A Si FRD,開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)頻率只有16kHz~18kHz   而新方案選用基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率為40kHz,且單路MPPT不用并聯(lián)開(kāi)關(guān)器件,同時(shí)大幅度減小了磁性元件的體積和成本,并且SiC MOSFET的殼溫低于100℃,提升了系統(tǒng)可靠性。   系統(tǒng)廠商評(píng)估過(guò)采用基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化... [詳細(xì)介紹]
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