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正耀電子有限公司

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,上海SiC碳化硅MOSFET,華東光伏MPPT碳化硅MOSFET,B2M04...

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基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET在光伏逆變器中的應(yīng)用



組串式逆變器是基于模塊化概念基礎(chǔ)上的,每個(gè)光伏組串通過一個(gè)逆變器,多塊電池板組成一個(gè)組串,接入小功率單相逆變器在直流端具有**功率峰值跟蹤,在交流端并聯(lián)并網(wǎng),已成為現(xiàn)在全球市場上*流行的逆變器。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)采用DC-DC-BOOST升壓(MPPT)和DC-AC全橋逆變兩級(jí)電力電子器件變換,防護(hù)等級(jí)一般為IP65。體積較小,可室外壁掛式安裝。

組串光伏逆變器有多路MPPT,每路MPPT器件選型為B2M035120YP*1(電流能力更大,支持更高功率的光伏電池板接入),或者B2M040120Z*1+碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1,B3D30120HC,B2D30120H1,B3D30120H.

(1)MPPT選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率器件方案的邏輯:

   組串式逆變器早期舊方案中的開關(guān)管需要用兩顆40A/1200V IGBT并聯(lián)或者75A/1200V IGBT,升壓二極管是1200V 60A Si FRD,開關(guān)管的開關(guān)頻率只有16kHz~18kHz

   而新方案選用基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET開關(guān)頻率為40kHz,且單路MPPT不用并聯(lián)開關(guān)器件,同時(shí)大幅度減小了磁性元件的體積和成本,并且SiC MOSFET的殼溫低于100℃,提升了系統(tǒng)可靠性。

   系統(tǒng)廠商評(píng)估過采用基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET,系統(tǒng)成本可以計(jì)算的過來。

(2)選用基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅MOSFET的原因

    組串式逆變器單路MPPT的有效值為32A,并考慮開關(guān)損耗因素,使用B2M035120YP*1(電流能力更大,支持更高功率的光伏電池板接入),或者B2M040120Z*1可以完成任務(wù)。工商業(yè)主要采用210組件,功率密度還在提升。B2M035120YP*1(電流能力更大,支持更高功率的光伏電池板接入),或者B2M040120Z*1的門極電阻:Rgon=Rgoff=10Ω,驅(qū)動(dòng)電壓:-4V/18V.

 (3)光儲(chǔ)一體機(jī)儲(chǔ)能用雙向Buck-Boost DC/DC變換器,選用B2M035120YP(電流能力更大)或者B2M040120Z替代IGBT器件,提升Buck-Boost DC/DC變換開關(guān)頻率到40-60KHz,大幅度減小了磁性元件的體積和成本.

 

碳化硅MOSFET具有**的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域*受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可提高功率回路開關(guān)頻率,提升系統(tǒng)效率及功率密度,降低系統(tǒng)綜合成本。


基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開發(fā),比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。


基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)

更低比導(dǎo)通電阻:第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案,比導(dǎo)通電阻降低約40%,產(chǎn)品性能顯著提升。


更低器件開關(guān)損耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。


更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。


更高工作結(jié)溫:第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C,提高器件高溫工作能力。


公司檔案
公司名稱: 正耀電子有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 (服務(wù)商)
所 在 地: 江蘇/蘇州市 公司規(guī)模:
注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2006
資料認(rèn)證:
保 證 金: 已繳納 0.00
經(jīng)營模式: 服務(wù)商
經(jīng)營范圍: SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,上海SiC碳化硅MOSFET,華東光伏MPPT碳化硅MOSFET,B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,及C3M0040120K,上海充電樁兩電平SiC碳化硅MOSFET,蘇州國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,無錫碳化硅器件替代IGBT,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,杭州儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)碳化硅MOSFET,光伏SiC碳化硅MOSFET
銷售的產(chǎn)品: SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,上海SiC碳化硅MOSFET,華東光伏MPPT碳化硅MOSFET,上海充電樁兩電平SiC碳化硅MOSFET,B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,及C3M0040120K,蘇州國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,無錫碳化硅器件替代IGBT,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,杭州儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)碳化硅MOSFET,光伏SiC碳化硅MOSFET
采購的產(chǎn)品: SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,上海SiC碳化硅MOSFET,華東光伏MPPT碳化硅MOSFET,B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,及C3M0040120K,上海充電樁兩電平SiC碳化硅MOSFET,蘇州國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,無錫碳化硅器件替代IGBT,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,杭州儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,熱管理電動(dòng)壓縮機(jī)碳化硅MOSFET,光伏SiC碳化硅MOSFET
主營行業(yè):
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